Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Кириченко, М.В.
dc.contributor.author Зайцев, Р.В.
dc.contributor.author Дейнеко, Н.В.
dc.contributor.author Копач, В.Р.
dc.contributor.author Антонова, В.А.
dc.contributor.author Листратенко, А.М.
dc.date.accessioned 2010-08-06T16:45:39Z
dc.date.available 2010-08-06T16:45:39Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1028-821X
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815
dc.description.abstract Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП. uk_UA
dc.description.abstract Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. uk_UA
dc.description.abstract The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України uk_UA
dc.subject Вакуумная и твердотельная электроника uk_UA
dc.title Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах uk_UA
dc.title.alternative Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах uk_UA
dc.title.alternative Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 539.2:648.75


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис