Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Кириченко, М.В. |
|
dc.contributor.author |
Зайцев, Р.В. |
|
dc.contributor.author |
Дейнеко, Н.В. |
|
dc.contributor.author |
Копач, В.Р. |
|
dc.contributor.author |
Антонова, В.А. |
|
dc.contributor.author |
Листратенко, А.М. |
|
dc.date.accessioned |
2010-08-06T16:45:39Z |
|
dc.date.available |
2010-08-06T16:45:39Z |
|
dc.date.issued |
2007 |
|
dc.identifier.citation |
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1028-821X |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815 |
|
dc.description.abstract |
Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
uk_UA |
dc.subject |
Вакуумная и твердотельная электроника |
uk_UA |
dc.title |
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
539.2:648.75 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті