Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
→
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015 (том 13)
→
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Кудрик, Р.Я.
dc.date.accessioned	2016-10-17T15:38:19Z
dc.date.available	2016-10-17T15:38:19Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.citation	Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1816-5230
dc.identifier.other	PACS numbers: 71.55.Ak, 73.30.+y, 73.61.Jc, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls, 85.40.Xx
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/107290
dc.description.abstract	Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃.	uk_UA
dc.description.abstract	Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al₂O₃.	uk_UA
dc.description.abstract	The influence of gallium nitride epitaxial-film structure imperfection with donor concentration of ≈ 4∙10¹⁷ cm⁻³ on the charge-transport mechanisms in barrier contacts based on Au–TiBx–n-GaN on a monocrystalline substrate of Al₂O₃ are investigated.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.title	Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN	uk_UA
dc.title.alternative	Schottky-Barrier Au–TiBx–n-GaN Conta	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA