Аналитическая теория формирования статического электронного потока в пространстве взаимодействия генератора дифракционного излучения

Abstract

Основной задачей современной вакуумной электроники является повышение энергетических характеристик генераторов и увеличение частотного диапазона их работы. Впервые в приближении аналитической теории приводятся исследования физических процессов формирования статического ленточного электронного потока (ЭП) в пространстве взаимодействия генератора дифракционного излучения (ГДИ). Изучаются процессы формирования ЭП вблизи поверхности дифракционной решетки при изменении различных физических и технических параметров электронно-оптической системы ГДИ с диодной электронной пушкой, в частности, от расстояния между зеркалами и параметров электронной пушки. Обнаружено, что в ГДИ и классических приборах О-типа ЭП отличаются.

Основним завданням сучасної вакуумної електроніки є підвищення енергетичних характеристик генераторів і збільшення частотного діапазону їх роботи. Вперше за допомогою аналітичної теорії наведено дослідження фізичних процесів формування статичного стрічкового електронного потоку (ЕП) у просторі взаємодії генератора дифракційного випромінювання (ГДВ). Вивчаються процеси формування ЕП біля поверхні дифракційної ґратки при зміні різних фізичних й технічних параметрів електронно-оптичної системи ГДВ з діодною електронною гарматою, зокрема від відстані між дзеркалами та параметрів електронної гармати. Виявлено, що в ГДВ та класичних приладах О-типу ЕП відрізняються.

The main problem of the modern vacuum electronics is the increase of generators power characteristics and the increase of their frequency range. The study of static sheet electron beam (EB) formation in DRO interaction space has been presented with the aid of the analytic theory. The processes of EB formation near diffraction grating has been studied while varying physical and technical parameters of DRO electron-optic system with diode gun, in particular on distance between mirrors and electron gun parameters. It is revealed that EB in DRO is different from that in classical O-type devices.