Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Стороженко, И.П. |
|
dc.date.accessioned |
2016-09-12T19:09:48Z |
|
dc.date.available |
2016-09-12T19:09:48Z |
|
dc.date.issued |
2012 |
|
dc.identifier.citation |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1028-821X |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899 |
|
dc.description.abstract |
Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Радіофізика та електроніка |
|
dc.subject |
Вакуумная и твердотельная электроника |
uk_UA |
dc.title |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Резонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридів |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Resonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductors |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.382.2 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті