Влияние диссипации на свойства циклотронных волн в полупроводниковой периодической структуре

Abstract

Исследуется влияние диссипации в полупроводниковом материале слоисто-периодической структуры полупроводник – диэлектрик на контуры зон пропускания собственных волн. Показано, что учет потерь в полупроводнике приводит к возникновению поворота дисперсионных кривых для электромагнитных волн, распространяющихся в такой структуре. При этом ограничивается минимальное значение фазовой скорости волны. Обнаружено, что при больших значениях частоты столкновений один из краев зон в области циклотронных волн вырождается, т. е. происходит “разрушение” зоны.

Досліджується вплив дисипації у напівпровідниковому матеріалі шарувато-періодичної структури напівпровідник - діелектрик на контури зон пропускання власних хвиль. Показано, що урахування втрат у напівпровіднику приводить до виникнення повороту дисперсійних кривих для електромагнітних хвиль, що поширюються в такій структурі. При цьому обмежується мінімальне значення фазової швидкості хвилі. Виявлено, що при великих значеннях частоти зіткнень один із країв зон в області циклотронних хвиль вироджується, тобто відбувається “руйнування” зони.

Influence of the dissipation in the semiconductor material of the semiconductor - dielectric periodic layered structure on the pass band contour of the eigen waves is investigated. It is shown that taking into account the dissipation gives rise to the occurrence of the turning of dispersion curves for the electromagnetic waves propagating in such a structure. At the same time the phase velocity minimum value is limited. It is found that when the collision frequency value is big one of the band edges in the cyclotron waves region is degenerate, i.e. the zone “destruction” takes place.