Вплив пластичного деформування на дефектно-домішковий стан та магнетні властивості кремнію (Cz-Si)

Abstract

Досліджено зв'язок між сформованим за високотемпературного деформування дефектно-домішковим станом кристалів кремнію та його магнітними властивостями. Виявлена у здеформованих кристалах кремнію зміна магнітного моменту зумовлена впливом двох факторів - утворенням за умов деформації анізотропних парамагнітних центрів на дислокаційних обірваних зв'язках та суттєвим збільшенням в околі дислокацій кількості домішок (кисню та вуглецю).

В работе исследуется связь между сформированным при высокотемпературном деформировании дефектно-примесным состоянием кристаллов кремния и его магнитными свойствами. Выявленное в деформированных кристаллах кремния изменение магнитного момента связывается с влиянием двух факторов – образованием при деформации анизотропных парамагнитных центров на дислокационных оборванных связях и существенным увеличением в окрестности дислокаций количества примесей (кислорода и углерода).

The correlation between the defect-impurity state formed at high temperature deformation in silicon crystals and its magnetic properties is investigated. The magnetic moment changes detected in the deformed silicon crystals are associated with the influence of two factors–the formation of anisotropic paramagnetic centres on dislocation dangling bonds due to the deformation and a substantial increase of the oxygen and carbon impurities in the vicinity of dislocations.