Переходи Джозефсона на базі двозонних надпровідників з різними функціями розподілу прозоростей

Abstract

У роботі виконано моделювання транспорту заряду в Джозефсонових контактах крізь неоднорідні нанорозмірні плівки ізолятора та виконано теоретичні оцінки тунельних характеристик надпровідникових переходів на базі двозонних надпровідників при близькій до нуля напруги зміщення. Транспорт заряду розглядався як рух Боголюбових квазиелектронів та квазидірок із використанням розв’язків рівнань Боголюбова—де Жена в межах підходу моделю Блондера—Тінкхама—Клапвік.

В работе выполнено моделирование транспорта заряда в контактах Джозефсона через неоднородные наноразмерные плёнки изолятора и выполнены теоретические оценки туннельных характеристик сверхпроводящих переходов на базе двухзонных сверхпроводников при близком к нулю напряжении смещения. Транспорт заряда рассматривался как движение боголюбовских квазиэлектронов и квазидырок путём использования решений уравнений Боголюбова—де Жена в рамках подхода модели Блондера—Тинкхама—Клапвик.

The simulation of charge transport in Josephson junctions through inhomogeneous nanolayer insulator films is performed, and tunnelling characteristics of the superconducting junctions on the base of two-band superconductors are theoretically estimated at near zero bias voltage. Charge transport is considered as a movement of the Bogolyubov quasi-electrons and quasi-holes, using solutions of the Bogolyubov—de Gennes model within the scope of the Blonder—Tinkham—Klapvik approach.