Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

dc.contributor.author	Абдулхаев, О.А.
dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Кулиев, Ш.М.
dc.date.accessioned	2016-05-22T19:57:08Z
dc.date.available	2016-05-22T19:57:08Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.citation	Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания / О.А. Абдулхаев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 24-27. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.other	DOI: 10.15222/TKEA2015.4.24
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100544
dc.description.abstract	Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора.	uk_UA
dc.description.abstract	The present work is devoted to investigate the photovoltaic characteristics of semiconductor thin base transistor structure based on germanium, which is superior the silicon counterparts by speed and gain.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания	uk_UA
dc.title.alternative	Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592.2:546.681'19