Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации

Abstract

Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100° C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях.

Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100 °C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх умов.

The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100 °C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions.