Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю.; Эркабоев, У.И.
(Физическая инженерия поверхности, 2012)
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной ...