Светличный, А.М.; Агеев, О.А.; Шляховой, Д.А.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.