Перегляд за автором "Ховерко, Ю.Н."

Результати 1-12 з 12

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля

Ховерко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания ...
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)

Исследована частотная зависимость активного сопротивления нитевидных кристаллов кремния, легированных бором в разной концентрации, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл — диэлектрик», в температурном ...
Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов

Дружинин, А.А.; Ховерко, Ю.Н.; Вуйцик, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Предложенный вариант сопряжения тензорезисторов с микроконтроллерами позволяет использовать микроконтроллеры Atmel ATMega·для сопряжения сенсорных устройств с современными компьютерными системами. В разработанной·на основе ...
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации ...
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Бережанский, Е.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Показана возможность использования в качестве антиотражающей поверхности фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) ансамблей нанопроволок кремния. Разработан технологический процесс получения нано размерных структур ФЭП и ...
Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)

Представлены результаты серии экспериментальных исследований по выращиванию нитевидных нанокристаллов (ННК) кремния методом химического парового осаждения в открытой проточной системе по механизму «пар—жидкость—кристалл» ...
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Литовченко, П.Г.; Павловская, Н.Т.; Павловский, Ю.В.; Цмоць, В.М.; Поварчук, В.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К.
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

Дружинин, А.А.; Голота, В.И.; Когут, И.Т.; Ховерко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления.
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Бережанский, Е.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Разработана система измерения индукции магнитного поля и температуры с использованием нитевидных кристаллов кремния р-типа проводимости в качестве первичных преобразователей. Система позволяет в интервале 4,2—77 К производить ...
Универсальная система для измерения усилия-перемещения

Дружинин, А.А.; Матвиенко, С.Н.; Вуйцик, А.М.; Кутраков, А.П.; Ховерко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)

Система для измерения усилия-перемещения с цифровой обработкой сигнала осуществляет усиление, дискретизацию, усреднение сигнала и передачу данных на персональный компьютер.
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>

Дружинин, А.A.; Ховерко, Ю.Н.; Кутраков, А.П.; Корецкий, Р.Н.; Яцухненко, С.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)

Проведено комплексні дослідження електропровідності та магнетоопору деформованих і недеформованих зразків ниткоподібних кристалів Si р-типу провідності з різним ступенем легування бором та домішкою нікелю у широкому інтервалі ...
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)

Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью ...

Результати 1-12 з 12

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Ховерко, Ю.Н."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Ховерко, Ю.Н."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис