Перегляд за автором "Томашик, З.Ф."

Результати 1-8 з 8

Вплив стабілізаторів на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах

Капуш, О.А.; Тріщук, Л.І.; Томашик, В.М.; Томашик, З.Ф.; Бабічук, І.С.; Борук, С.Д. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)

Досліджено фізико-хімічні властивості низькорозмірних структур на основі CdTe, отриманого методом колоїдного синтезу. Встановлено, що розміри нанокристал ів CdTe та їх розкид за розміром змінюються немонотонно зі збільшенням ...
Вплив умов синтезу на фотолюмінесцентні властивості наночастинок CdS у колоїдних розчинах

Капуш, О.А.; Тріщук, Л.І.; Мазарчук, І.О.; Томашик, В.М.; Томашик, З.Ф.; Морозовська, В.Й.; Курик, А.О. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)

Досліджено фізико-хімічні властивості низькорозмірних структур на основі CdS, отриманих методом колоїдного синтезу, та вплив умов синтезу на процеси формування наночастинок CdS у водних розчинах. Показано, що на процес ...
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

Томашик, З.Ф.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, В.Н.; Будзуляк, С.И.; Гнатив, И.И.; Комар, В.К.; Дубина, Н.Г.; Лоцъко, А.П.; Корбутяк, Д.В.; Демчина, Л.А.; Вахняк, Н.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух ...
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль

Томашик, В.Н.; Окрепка, Г.М.; Томашик, З.Ф.; Моравец, П.; Гешл, П. (Поверхность, 2008)

Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, ...
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr

Павлович, И.И.; Томашик, З.Ф.; Томашик, В.Н.; Стратийчук, И.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов.
Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

Павлович, И.И.; Томашик, В.Н.; Томашик, З.Ф.; Стратийчук, И.Б.; Копыл, А.И. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими ...
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

Маланич, Г.П.; Томашик, В.М.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, З.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)

Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости ...
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота

Станецкая, А.С.; Томашик, В.Н.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, З.Ф.; Галкин, С.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава ...

Результати 1-8 з 8

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Томашик, З.Ф."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Томашик, З.Ф."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис