Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Козак, А.О.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних ...