Перегляд за автором "Сидорец, Р.Г."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов 
    Смирнов, А.Н.; Пучкова, Н.С.; Сидорец, Р.Г.; Лемза В.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Разработанная на основе Ag/Ru/Pd система паст и содержание в этой системе 35—45% стеклосвязки обеспечивают необходимые характеристики резисторов и расширяют возможности толстопленочной технологии.
  • Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением 
    Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В.; Сидорец, Р.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных ...
  • Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом 
    Викулин, И.М.; Курмашев, Ш.Д.; Сидорец, Р.Г.; Туманов, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает ...