Николаенко, Ю.Е.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Рыбак, О.В.; Мрыхин, И.А.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей ...