Перегляд за автором "Рубцевич, И.И."

Результати 1-5 з 5

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа

Рубцевич, И.И.; Ануфриев, Л.П.; Керенцев, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Корпуса SMD-1 позволяют изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность.
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Высоцкий, В.Б.; Дудкин, А.И.; Ковальчук, Н.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках.
Оптимизация конструкции мембранных датчиков

Рубцевич, И.И.; Высоцкий, В.Б.; Ковальчук, Н.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Предложена оптимизированная конструкция газового анализатора с уменьшенным энергопотреблением за счет использования многослойной мембраны.
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьёв, Я.А.; Рубцевич, И.И.; Керенцев, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного ...

Результати 1-5 з 5

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Рубцевич, И.И."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Рубцевич, И.И."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис