Перегляд за автором "Пономарь, В.Н."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Методы удаления полимерных загрязнений, вызванных плазмохимическим травлением 
    Иванчиков, А.Э.; Кисель, А.М.; Медведева, А.Б.; Плебанович, В.И.; Пономарь, В.Н.; Шикуло, В.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрено формирование малоразмерных контактных окон методом плазмохимического травления и основные факторы образования полимерных остатков после травления. Изучен состав полимерных остатков и механизм их удаления ...
  • Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации 
    Белоус, А.И.; Ефименко, С.А.; Калошкин, Э.П.; Карпов, И.Н.; Пономарь, В.Н.; Прибыльский, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия ...
  • Приборное обеспечение моделирования работы сложных радиоэлектронных устройств 
    Емельянов, В.А.; Пономарь, В.Н.; Солонинко, А.А.; Чигирь, Г.Г.; Лисенков, Б.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность эффективного моделирования сложных устройств для различных отраслей радиоэлектронной промышленности с использованием импортного и отечественного (Минский научно-исследовательский приборостроительный ...
  • Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС 
    Пилипенко, В.А.; Пономарь, В.Н.; Петлицкая, Т.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой ...