Кондрат, А.Б.; Довгошей, Н.И.; Поляк, Я.М.; Сидор, Ю.Й.; Повч, Р.М.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, ...