Перегляд за автором "Осинский, В.И."

Результати 1-9 з 9

Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃

Осинский, В.И.; Гончаренко, Т.И.; Ляхова, Н.Н. (Физическая инженерия поверхности, 2003)
Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением

Деминский, П.В.; Осинский, В.И. (Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2012)

Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в ...
Исследование процессов записи информации на ДНК-комплексах нейрона

Ходаковский, Н.И.; Осинский, В.И. (Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2016)

Рассмотрены вопросы записи и хранения информации на ДНК нейрона при действии ионного кода.
Исследование процессов приобретения знаний при формировании памяти под контролем ядра нейрона

Ходаковский, Н.И.; Осинский, В.И. (Комп’ютерні засоби, мережі та системи, 2015)

Рассмотрены процессы приобретения знаний при формировании памяти под контролем ядра.
Компактные измерительные приборы для определения параметров активных и пассивных компонент ВОЛС

Воронько, А.А.; Мержвинский, П.А.; Осинский, В.И.; Карпинский, К.Б.; Вербицкий, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Приведены характеристики разработанных приборов, блок-схема измерителя IT1701, описаны работа и особенности применения функциональных подсистем.
Особенности разработки цифровых волоконно-оптических модулей

Мержвинский, А.А.; Осинский, В.И.; Палагин, А.В.; Вербицкий, В.Г.; Воронько, А.А.; Мержвинский, П.А.; Белаш, П.В.; Сибрин, Ю.И.; Остапчук, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Приведены обобщенная схема цифрового канала, выделены базовые компоненты модулей, рассмотрены механизмы возникновения ошибок и методы их снижения, определены функции компонентов, контролируемые параметры, цели проектирования ...
Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС

Осинский, В.И.; Олексенко, П.Ф.; Палагин, А.В.; Зубарев, В.В.; Луговский, В.В.; Бондаренко, В.М.; Николаенко, Ю.Е.; Вербицкий, В.Г.; Воронько, А.А.; Бобженко, С.В.; Мержвинский, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999)

Представлены результаты многолетних исследований авторов по применению газофазной, молекулярно-лучевой и комбинированной эпитаксии из газового источника.
Тепловые процессы в микролазерных устройствах информационных систем

Осинский, В.И.; Вербицкий, В.Г.; Николаенко, Ю.Е.; Жук, С.К.; Бобженко, С.В.; Мержвинский, П.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)

Проведен комплексный анализ тепловых процессов в гетеролазерах и лазерных модулях скоростных волоконно-оптических систем. Приведена тепловая модель лазерного передатчика. Рассмотрены физико-технологические уровни обеспечения ...
Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si

Горох, Г.Г.; Соловей, Д.В.; Лабунов, В.А.; Осинский, В.И.; Мазунов, Д.О. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)

Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок АОА с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы ...

Результати 1-9 з 9

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Осинский, В.И."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Осинский, В.И."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис