Перегляд за автором "Нетяга, В.В."

Результати 1-10 з 10

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Кудринский, З.Р.; Кушнир, Б.В.; Нетяга, В.В.; Хомяк, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)

Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и ...
Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію

Ковалюк, З.Д.; Шевчик, В.В.; Боледзюк, В.Б.; Нетяга, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2014)

Досліджено частотні спектри імпедансу та діелектричної проникності легованих кобальтом та селенідом ванадію кристалів InSe та GaSe. Встановлено сильну частотну залежність діелектричної проникності для легованих кристалів ...
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена

Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Нетяга, В.В.; Заслонкин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

Ковалюк, З.Д.; Кушнир, О.И.; Сидор, О.Н.; Нетяга, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы.
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>

Ковалюк, З.Д.; Коноплянко, Д.Ю.; Нетяга, В.В.; Бахтинов, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц.
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>

Бахтінов, А.П.; Водоп’янов, В.М.; Ковалюк, З.Д.; Нетяга, В.В.; Ткачук, І.Г. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017)

В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей ...
Створення гетероструктури n-InSe-графіт

Ковалюк, З.Д.; Ткачук, І.Г.; Поцілуйко, Р.Л.; Катеринчук, В.М.; Нетяга, В.В.; Камінський, В.М. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2016)

В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено ...
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃

Бахтінов, А.П.; Водоп’янов, В.М.; Ковалюк, З.Д.; Кудринський, З.Р.; Нетяга, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Досліджено імпедансні спектри композитних наноструктур GaSe<KNO₃> без освітлення і при їх опроміненні світлом. Залежність імпедансних спектрів від прикладеної до структур постійної напруги при їх опроміненні світлом ...
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>

Нетяга, В.В.; Водопьянов, В.Н.; Иванов, В.И.; Ткачук, И.Г.; Ковалюк З.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)

На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает ...
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃

Бахтінов, А.П.; Водоп’янов, В.М.; Іванов, В.І.; Карбівський, В.Л.; Ковалюк, З.Д.; Нетяга, В.В.; Литвин, О.С. (Металлофизика и новейшие технологии, 2017)

Показано, що об’ємні вертикальні йонотронні структури можуть бути сформовані шляхом втілення розтопу йонної солі RbNO₃ між шарами (0001) кристалу InSe. Методами рентґенівської електронної спектроскопії і атомно-силової ...

Результати 1-10 з 10

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Нетяга, В.В."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Нетяга, В.В."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис