Перегляд за автором "Митягин, А.Ю."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона 
    Алтухов, А.А.; Митягин, А.Ю.; Клочкова, А.М.; Орлова, Г.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Показана возможность создания матричных фотоприемных устройств на алмазе. На примере линейчатых фотоприемных устройств разработаны принципы и технология построения.
  • Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона 
    Алтухов, А.А.; Митягин, А.Ю.; Горохов, Е.В.; Фещенко, В.С.; Талипов, Н.Х. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Изготовлены и исследованы планарные алмазные «солнечно-слепые» фотоприемники УФ-диапазона. Приведено теоретическое обоснование принципов работы и экспериментальные параметры фотоприемников в фоторезистивном и фотодиодном режимах.
  • Модель алмазного транзистора 
    Алтухов, А.А.; Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора.
  • Особенности стирания информации с многодисковых винчестеров импульсным магнитным полем 
    Герус, С.В.; Митягин, А.Ю.; Соколовский, А.А.; Темирязева, М.П.; Хлопов, Б.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Приведены результаты исследования качества стирания информации с многодисковых накопителей на жестких магнитных дисках магнитными импульсными полями и даны рекомендации для выбора параметров стирающих импульсов.
  • Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах 
    Алтухов, А.А.; Митягин, А.Ю.; Могучев, А.В.; Митягина, А.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Описана методика расчета и экспериментальный способ определения основных параметров микродатчиков. Рассчитанные значения емкости первичных преобразователей датчиков хорошо согласуются с экспериментальными значениями. ...
  • Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнето­электрических и алмазных пленок 
    Афанасьев, М.С.; Митягин, А.Ю.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Рассмотрен принцип создания широкополосной миниатюрной линии задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок. Разработана технология получения пленок на кремниевых подложках.
  • Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники 
    Митягин, А.Ю.; Алтухов, А.А.; Митягина, А.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Разработана технология и создан производственный участок отбора и сортировки алмазов по электрофизическим свойствам. Разработаны технологии и оборудование для прецизионной лазерной резки и обработки алмазных материалов.
  • Технология создания легированных бором слоев на алмазе 
    Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В.; Духновский, М.П.; Хмельницкий, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры ...
  • Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза 
    Алтухов, А.А.; Афанасьев, М.С.; Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Исследованы электрофизические параметры и термическая стабильность дельта-легированных водородом слоев в природных и выращенных методом CDV кристаллах алмаза. Показана возможность создания барьеров Шоттки на гидрированной ...
  • «Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров 
    Алтухов, А.А.; Митягин, А.Ю.; Шустров, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Химический сенсор, основанный на матричной полисенсорной структуре, содержит 16 газовых моносенсоров, компьютерную программу контроля и математическую программу обработки результатов.