Измерены магнитополевые зависимости сопротивления (до 110 кЭ) гетероструктуры Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ в интервале температур 0,335-10 К и при изменении токов от 100 ...

Изучены осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок p(H) 5,68·10¹¹ см² и подвижностью μ= 4,68·10⁴ см² ·В⁻¹·с⁻¹ в ...

Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ ...