Мамедов, А.К.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на ...