Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных ...

Проведен математический расчет упругих механических напряжений в двухслойных структурах с отличающимися упругими постоянными пленки и подложки. Выведена формула, показывающая, что возникающие в пленке механические напряжения ...