Перегляд за автором "Ковалюк, З.Д."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Анизотропия электросопротивления Bi₉₃,₉₉Mn₆Fe₀,₀₁ 
    Светлов, В.Н.; Терехов, А.В.; Степанов, В.Б.; Соловьев, А.Л.; Христенко, Е.В.; Ивасишин, О.М.; Шевченко, А.Д.; Ковалюк, З.Д. (Физика низких температур, 2015)
    Впервые исследован продольный и поперечный магниторезистивный эффект в текстурированном по- ликристалле Bi₉₃,₉₉Mn₆Fe₀,₀₁. Зависимости (T) измерены в широком интервале температур (4,2–300 К) как без поля, так и в постоянном ...
  • Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур 
    Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Политанская, О.А.; Сидор, О.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
  • Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe 
    Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Кудринский, З.Р.; Кушнир, Б.В.; Нетяга, В.В.; Хомяк, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и ...
  • Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe 
    Боледзюк, В.Б.; Ковалюк, З.Д.; Кудринський, З.Р.; Кушнір, Б.В.; Литвин, О.С.; Шевченко, А.Д. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    Досліджено вплив впровадження іонів Ni²⁺ на електричні та магнітні властивості кристалів селеніду індію. Показано, що в інтеркалатах Ni₀,₁₅InSe, які отримані впровадженням нікелю при постійному магнітному полі, формуються ...
  • Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe 
    Боледзюк, В.Б.; Ковалюк, З.Д.; Пирля, М.М.; Поцілуйко, Р.Л. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2016)
    В даній роботі представлено дослідження впливу лазерного опромінення зразків GaSe перед інтеркалюванням атомами водню. Досліджені спектри пропускання в областi екситонного поглинання для опромінених та неопромінених водневих ...
  • Вплив термічного відпалу на властивості моноселеніду індію та галію, легованого кобальтом і селенідом ванадію 
    Ковалюк, З.Д.; Шевчик, В.В.; Боледзюк, В.Б.; Нетяга, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    Досліджено частотні спектри імпедансу та діелектричної проникності легованих кобальтом та селенідом ванадію кристалів InSe та GaSe. Встановлено сильну частотну залежність діелектричної проникності для легованих кристалів ...
  • Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ 
    Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.М.; Кушнір, Б.В.; Товарницький, М.В. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2016)
    Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна ...
  • Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена 
    Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Нетяга, В.В.; Заслонкин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
  • Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка 
    Кудринский, З.Р.; Ковалюк, З.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, ...
  • Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы 
    Ковалюк, З.Д.; Кушнир, О.И.; Сидор, О.Н.; Нетяга, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы.
  • Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe 
    Мінтянський, І.В.; Савицький, П.І.; Ковалюк, З.Д. (Физическая инженерия поверхности, 2013)
    В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та ...
  • Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції 
    Гаврилюк, С.В.; Ковалюк, З.Д.; Мінтянський, І.В.; Савицький, П.І. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    Методами імпедансної спектроскопії та рентгенівської дифракції досліджено систему Li/LiBF₄ + γ-БЛ/InSe. Для різних стадій розряду представлені результати вимірювання кривих Найквіста та дифракційних спектрів. Проведено ...
  • Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію 
    Ковалюк, З.Д.; Боледзюк, В.Б.; Шевчик, В.В.; Дубик, О.М.; Камінський, В.М. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається ...
  • Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃ 
    Боледзюк, В.Б.; Ковалюк, З.Д.; Фешак, Т.М.; Товарницький, М.В. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
    Приводяться результати досліджень електричних властивостей монокристалів InSe, Bi₂Te₃, інтеркальованих молекулами гліцерину дифузійним методом. Встановлено залежність електропровідності, рухливості та концентрації вільних ...
  • Електродний компонент суперконденсаторів – пористий вуглецевий матеріал з органічної сировини рослинного походження 
    Ковалюк, З.Д.; Боднарашек, В.М.; Микитюк, І.П.; Юрценюк, Н.С.; Юрценюк, С.П. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
    В даній роботі проведено дослідження нанопористих вуглецевих матеріалів з органічної сировини рослинного походження, на придатність їх застосування в якості електродної компоненти в суперконденсаторах з водним розчином ...
  • Електрохімічна імпедансна спектроскопія джерел струму Li/Cu₄Bi₆S₁₁ 
    Ковалюк, З.Д.; Мінтянський, І.В.; Савицький, П.І. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
    Методом імпедансної спектроскопії досліджено систему Li/LiBF₄ + γ-бутиролактон/Cu₄Bi₆S₁₁. Для різних стадій розряду дискових елементів «2325» представлені результати вимірювання кривих Найквіста. Зі спектру рентгенівської ...
  • Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" 
    Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Сидор, О.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
  • Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> 
    Ковалюк, З.Д.; Коноплянко, Д.Ю.; Нетяга, В.В.; Бахтинов, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц.
  • Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> 
    Бахтінов, А.П.; Водоп’янов, В.М.; Ковалюк, З.Д.; Нетяга, В.В.; Ткачук, І.Г. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017)
    В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей ...
  • Особенности поведения магнитосопротивления и магнитных свойств в Bi₉₅,₆₉Mn₃,₆₉Fe₀,₆₂ 
    Терехов, А.В.; Рогацкий, К.; Соловьев, A.Л.; Блудов, А.Н.; Прохватилов, A.И.; Мелешко, В.В.; Золочевский, И.В.; Христенко, Е.В.; Цвик, Я.; Лось, A.; Шевченко, A.Д.; Ковалюк, З.Д.; Ивасишин, O.M. (Физика низких температур, 2018)
    Исследован текстурированный поликристалл Bi95,69Mn3,69Fe0,62, содержащий две фазы — висмутовую матрицу и включения α-BiMn фазы. Показано, что аномальное поведение температурных зависимостей намагниченности может быть связано ...