Перегляд за автором "Кидалов, В.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия 
    Сычикова, Я.А.; Кидалов, В.В.; Сукач, Г.А. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2010)
    В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориентации исходной подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен эффективный механизм порообразования, объясняющий зависимость формы пор ...
  • Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления 
    Дяденчук, А.Ф.; Кидалов, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем ...
  • Формирование регулярной пористой структуры р-InP 
    Сычикова, Я.А.; Кидалов, В.В.; Сукач, Г.А. (Физическая инженерия поверхности, 2010)
    Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия ...
  • Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия 
    Кирилаш, А.И.; Симченко, С.В.; Кидалов, В.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной ...