Перегляд за автором "Каримов, А.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каримов, А.А.; Асанова, Г.О. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса.
  • Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре 
    Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.А.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
    На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления ...
  • Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры 
    Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Каримов, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2013)
    Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому ...
  • Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода 
    Каримов, А.В.; Каримов, А.А.; Рахманов, А.З.; Дадаматова К.Т. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную ...