Белоус, А.И.; Ефименко, С.А.; Калошкин, Э.П.; Карпов, И.Н.; Пономарь, В.Н.; Прибыльский, А.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия ...