Терлецкая, Л.Л.; Калиниченко, Л.Ф.; Голубцов, В.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии ...