Перегляд за автором "Джураев, Д.Р."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Зоирова, Л.Х.; Абдулхаев, О.А.; Джураев, Д.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность ...
  • Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе 
    Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
  • Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Джураев, Д.Р.; Тураев, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
    В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления ...