Перегляд за автором "Власенко, З.К."

Результати 1-6 з 6

Акустична емісія напівпровідників та діодних структур (огляд)

Власенко, О.І.; Киселюк, М.П.; Велещук, В.П.; Власенко, З.К.; Ляшенко, І.О.; Ляшенко, О.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Узагальнено матеріал з дослідження явища акустичної емісії у напівпровідниках та діелектриках при дії зовнішніх полів різної фізичної природи. Особливу увагу приділено вивченню процесів дефектоутворення та акустичної емісії ...
Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд)

Власенко, О.І.; Велещук, В.П.; Киселюк, М.П.; Власенко, З.К.; Ляшенко, І.О.; Ляшенко, О.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)

Узагальнено матеріал з дослідження явища акустичної емісії (АЕ) у світловипромінюючих структурах та світлодіодах на основі сполук GaN, GaP при струмовому навантаженні. Запропоновано використання комбінованого методу АЕ та ...
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Гнатюк, В.А.; Смирнов, А.Б.; Курило, И.В.; Рудый, И.А.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно ...
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости

Велещук, В.П.; Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Шинкаренко, В.В.; Кудрик, Я.Я.; Сай, П.О.; Борщ, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)

Рассмотрены проблемы неоднородности свечения светодиодных RGB-экранов при низких, минимальных градациях яркости, вызванные неоднородностью свечения светодиодов. Установлено, что наибольший разброс значений электрических ...
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

Власенко, А.И.; Власенко, З.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.
Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)

Велещук, В.П.; Власенко, О.І.; Власенко, З.К.; Хміль, Д.М.; Камуз, О.М.; Борщ, В.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)

Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм ...

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Власенко, З.К."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Власенко, З.К."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис