Перегляд за автором "Власенко, А.И."

Результати 1-6 з 6

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Гнатюк, В.А.; Смирнов, А.Б.; Курило, И.В.; Рудый, И.А.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно ...
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости

Велещук, В.П.; Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Шинкаренко, В.В.; Кудрик, Я.Я.; Сай, П.О.; Борщ, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)

Рассмотрены проблемы неоднородности свечения светодиодных RGB-экранов при низких, минимальных градациях яркости, вызванные неоднородностью свечения светодиодов. Установлено, что наибольший разброс значений электрических ...
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

Власенко, А.И.; Власенко, З.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

Байдуллаева, А.; Власенко, А.И.; Ломовцев, А.В.; Мозоль, П.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)

Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время ...
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

Байдуллаева, А.; Борщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, А.И.; Даулетмуратов, Б.К.; Левицкий, С.Н.; Мозоль, П.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью.
Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении

Байдуллаева, А.; Власенко, А.И.; Гацкевич, Е.И.; Гнатюк, В.А.; Ивлев, Г.Д.; Мозоль, П.Е. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2008)

Методом оптического зондирования исследована динамика отражательной способности поверхности кристалла MnCdTe. Показано, что фазовые превращения, происходящие при лазерном воздействии, обуславливают разную динамику отражения ...

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Власенко, А.И."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Власенко, А.И."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис