Перегляд за автором "Викулин, И.М."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Закономерности деградации светоизлучающих диодов 
    Викулин, И.М.; Ирха, В.И.; Коробицын, Б.В.; Горбачев, В.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Предложен метод тестирования фосфид-галлиевых светоизлучающих диодов на величину срока службы, значительно сокращающий время отбраковки ненадежных СИД в производстве.
  • Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика 
    Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой ...
  • Многофункциональный сенсор с цифровой индикацией 
    Викулин, И.М.; Ильин, С.В.; Мингалев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена схема сенсора, содержащего генератор на однопереходном транзисторе с чувствительным элементом, ток через который зависит от определенного внешнего воздействия - температуры, давления, радиации и т. д. Изменение ...
  • Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники 
    Викулин, И.М.; Ирха, В.И.; Коробицын, Б.В.; Горбачев, В.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.
  • Полупроводниковые матричные оптические модуляторы 
    Курмашов, Ш.Д.; Ирха, В.И.; Викулин, И.М.; Градобоев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999)
    Рассмотрены два вида оптических модуляторов: линейные многоэлементные и двухкоординатные матрицы.
  • Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением 
    Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В.; Сидорец, Р.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных ...
  • Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом 
    Викулин, И.М.; Курмашев, Ш.Д.; Сидорец, Р.Г.; Туманов, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает ...