Перегляд за автором "Болтовец, Н.С."

Результати 1-6 з 6

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Раевская, Н.С.; Беляев, А.Е.; Бобыль, А.В.; Конакова, Р.В.; Кудрик, Я.Я.; Миленин, В.В.; Новицкий, С.В.; Шеремет В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.
Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона

Болтовец, Н.С.; Басанец, В.В.; Иванов, В.Н.; Кривуца, В.А.; Фесуненко, В.А.; Цвир, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999)

Применена металлизация на основе силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов при разработке генераторных и переключательных диодов.
Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)

Саченко, А.В.; Беляев, А.Е.; Болтовец, Н.С.; Конакова, Р.В.; Шеремет, В.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)

Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического ...
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Борисенко, А.Г.; Полозов, Б.П.; Федорович, О.А.; Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Свешников, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.
Развитие полупроводниковых СВЧ-технологий в НИИ «Орион» (к пятидесятилетию НИИ «Орион»)

Болтовец, Н.С.; Мальцев, С.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

В марте 2011 года исполняется 50 лет со дня основания научно-исследовательского института "Орион", одного из старейших институтов прикладной науки страны с богатыми традициями. Государственный научно-исследовательский ...
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Болтовец, Н.С.; Борисенко, А.Г.; Иванов, В.Н.; Федорович, О.А.; Кривуца, В.А.; Полозов Б.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С.

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Болтовец, Н.С."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Болтовец, Н.С."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис