Перегляд за автором "Бабушкин, А.Н."

Результати 1-16 з 16

Барическая зависимость термоэдс аморфных халькогенидов меди

Мельникова, Н.В.; Бабушкин, А.Н.; Савина, О.В. (Физика и техника высоких давлений, 2009)

Исследовано влияние высоких давлений на структурные превращения в халькогенидах меди системы (GeSe)1-x(CuAsSe2)x при x = 1 и 0,95. В качестве чувствительных параметров использовали термоэлектродвижущую силу, электросопротивление ...
Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства (PbSe)₀.₈(AgAsSe₂)₀.₂

Хейфец, О.Л.; Тебеньков, А.В.; Филиппов, А.Л.; Шакиров, Э.Ф.; Мельникова, Н.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2011)

В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, был синтезирован халькогенид (PbSe) ₀.₈ (AgAsSe₂) ₀.₂. Проведены исследования его электрических свойств в области частот до 200 ...
Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9)

Хейфец, О.Л.; Пинигина, К.С.; Тебеньков, А.В.; Филиппов, А.Л.; Шакиров, Э.Ф.; Мельникова, Н.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2013)

В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области ...
Влияние высоких давлений на термоэлектрические свойства свинца

Савина, О.В.; Бабушкин, А.Н.; Динисламов, А.Р. (Физика и техника высоких давлений, 2007)

Изучено влияние высоких (5−50 GPa) давлений на термоэлектрические свойства свинца непосредственно при обработке высокими давлениями и выявлены вероятные фазовые превращения. Исследованы зависимости термоэдс свинца от ...
Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃

Хейфец, О.Л.; Мельникова, Н.В.; Моллаев, А.Ю.; Сайпулаева, Л.А.; Каллаев, С.Н.; Ферзалиев, Р.М.; Алибеков, А.Г.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2009)

Исследованы электрические свойства под давлением 15–45 GPa кристаллических халькогенидов AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃. Обнаружены области существования в соединениях фазовых переходов. Проведено ...
Влияние давления на свойства сложных оксидов иттрия

Хейфец, О.Л.; Бабушкин, А.Н.; Шкерин, С.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2005)

Методом импедансной спектроскопии исследованы электрические свойства оксидов YBa₂Cu₂.₅Mn₀.₅O₉ и YBa₂Cu₂.₅Mn₀.₅S₀.₅O₈ при давлениях 15−45 GPa. Определены области существования в оксидах фазовых переходов. Исследовано влияние ...
Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония

Тихомирова, Г.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика низких температур, 2004)

Проведено сравнительное исследование влияния высоких давлений (15–50 ГПа) на проводимость галогенидов аммония NH₄X (X = F, Cl, Br) при температурах 77 К и выше. Обнаружен фазовый переход, возникающий под действием высокого ...
Исследование свойств многокомпонентных халькогенидов серебра при сверхвысоких давлениях

Кобелева, О.Л.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2003)

Исследовано влияние статического давления на электрические свойства AgGeAsS₃, AgGeSbS₃ и Ag₄RbI₅ методом импедансной спектроскопии. Получены годографы импеданса при давлениях 15–43 GPa, изучены зависимости проводимости от ...
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония

Тихомирова, Г.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2004)

Исследованы зависимости от времени электропроводности образцов NH4X (X = F, Cl, Br), находящихся в проводящих состояниях. При давлениях, существенно превышающих давления перехода в проводящие состояния, сопротивление ...
Синтез и электрические свойства фаз высокого давления ErxCu3V4O12

Мельникова, Н.В.; Кадырова, Н.И.; Устинова, И.С.; Зайнулин, Ю.Г.; Бабушкин, А.Н. (2009)

Синтезировано новое перовскитоподобное соединение Er0.73Cu3V4O12. Проведена рентгенографическая аттестация, исследованы электрические свойства в широкой области температур (78–300 K) и частот (200 Hz–200 kHz) при атмосферном ...
Термоэлектрические свойства чистых металлов при высоких пластических деформациях

Савина, О.В.; Бабушкин, А.Н.; Суханов, И.В.; Суханова, Г.В. (Физика и техника высоких давлений, 2009)

При давлениях 5 - 50 ГПа изучены барические зависимости термоэдс и релаксационные процессы, сопровождающие структурные изменения в чистых металлах (железо, платина и свинец). Показано, что при обработке давлением происходят ...
Фазовые превращения в CdAs₂ и ZnAs₂ при высоком давлении

Моллаев, А.Ю.; Арсланов, Р.К.; Сайпулаева, Л.А.; Бабушкин, А.Н.; Лях, Т.С.; Татур, С.В.; Маренкин, С.Ф.; Михайлов, С.Г. (Физика и техника высоких давлений, 2005)

На ориентированных монокристаллах CdAs₂ и ZnAs₂ измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла при гидростатическом давлении до 9 GPa и определены барические зависимости электросопротивления при квазигидростатике ...
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)

Хейфец, О.Л.; Бабушкин, А.Н.; Шабашова, О.А.; Мельникова, Н.В. (Физика низких температур, 2007)

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной ...
Электрические характеристики одностенных углеродных нанотрубок разной технологии получения при давлениях до 50 GPa

Бабушкин, А.Н.; Волкова, Я.Ю.; Образцова, Е.Д.; Нарыгина, О.В. (Физика и техника высоких давлений, 2005)

Исследованы температурные зависимости сопротивления образцов, включающих одностенные углеродные нанотрубки (ОУНТ) и полученных по разным технологиям при давлениях от 20 до 50 GPa, в интервале температур от 100 до 400 K. ...
Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K

Бабушкин, А.Н.; Татур, С.В.; Лях, Т.С.; Моллаев, А.Ю.; Арсланов, Р.К.; Сайпулаева, Л.А.; Маренкин, С.Ф. (Физика и техника высоких давлений, 2006)

При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям ...
Электрофизические и релаксационные эффекты, возникающие при формировании новых фаз в нанокристаллическом диоксиде циркония при высоких давлениях

Трефилова, А.Н.; Бабушкин, А.Н. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)

В работе исследовано электросопротивление образцов стабилизированного диоксида циркония различной дисперсности от 10 до 500 нм в условиях давлений 20—50 ГПа и диапазона температур 77—400 К. Установлено существование ...

Результати 1-16 з 16

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Бабушкин, А.Н."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Бабушкин, А.Н."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис