Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2009
→
Вопросы атомной науки и техники, 2009, № 5
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Dovbnya, A.N.
dc.contributor.author	Yefimov, V.P.
dc.contributor.author	Abyzov, A.S.
dc.contributor.author	Rybka, A.V.
dc.contributor.author	Zakutin, V.V.
dc.contributor.author	Reshetnyak, N.G.
dc.contributor.author	Blinkin, A.A.
dc.contributor.author	Romas’ko, V.P.
dc.date.accessioned	2016-03-17T20:23:42Z
dc.date.available	2016-03-17T20:23:42Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.other	PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96509
dc.description.abstract	Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented.	uk_UA
dc.description.abstract	Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур.	uk_UA
dc.description.abstract	Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Ядернo-физические методы и обработка данных	uk_UA
dc.title	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon	uk_UA
dc.title.alternative	Методика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням	uk_UA
dc.title.alternative	Методика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучением	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA