Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Плющай, І.В.
dc.contributor.author Макара, В.А.
dc.contributor.author Плющай, О.І.
dc.contributor.author Волкова, Т.В.
dc.date.accessioned 2015-09-19T14:17:12Z
dc.date.available 2015-09-19T14:17:12Z
dc.date.issued 2013
dc.identifier.citation Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/86504
dc.description.abstract Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри ядра крайової дислокацiї, що мiстить домiшковий кисень. Обговорюються змiни густини електронних станiв, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на дислокацiйних обiрваних зв’язках. Розглядається можливiсть виникнення магнiтної взаємодiї мiж диcлокацiєю та домiшкою кисню в кремнiї. Аналiзуються парцiальнi електроннi спектри домiшки кисню в мiжвузловому положеннi та в ядрi дислокацiї. uk_UA
dc.description.abstract Электронный спектр суперячейки из 64 атомов Si содержащей примесный атом O в межузловом положении рассчитан методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Атомные позиции в суперячейке моделируются путем числового отжи- га. Рассчитаны атомная структура и электронные спектры ядра краевой дислокации, содержащего примеси кислорода. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний, а также возможность образования магнитного упорядочения на дислокационных оборванных связях. Рассматривается возможность возникновения магнитного взаимодействия между дислокацией и примесью кислорода в кремнии. Анализируются парциальные электронные спектры примеси кислорода в межузловом положении и в ядре дислокации. uk_UA
dc.description.abstract The electronic spectrum of a supercell with 64 Si atoms and the oxygen impurity in the interstitial position is calculated by the density functional theory in the generalized gradient approximation. The atomic positions of atoms in the supercell are modeled by simulating annealing. The atomic structure and the electronic spectra of an edge dislocation core containing the oxygen impurity are calculated. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds, are discussed. The possibility of the formation of a dislocation-oxygen impurity magnetic interaction in silicon is considered. The partial electronic spectra of the oxygen impurity in the interstitial position and in the dislocation core are analyzed. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Доповіді НАН України
dc.subject Матеріалознавство uk_UA
dc.title Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії uk_UA
dc.title.alternative Электронное состояние атомов кислорода в ядре дислокации в кремнии uk_UA
dc.title.alternative Electronic state of oxygen atoms in a dislocation core in silicon uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 538.915


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис