Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS

Abstract

Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойной пленки из квантовых точек CdSe/ZnS на поверхности водной субфазы методом Ленгмюра–Шефера и ее перенесение на тонкий слой поли(диоктилфлуорена). Проведено исследование и установлено влияние концентрации QD в коллоидном растворе на морфологию консолидированного слоя QD, помещенного на интерфейсе электронно- и дырочно-транспортных слоев, а также эффективность эмиссии электролюминесцентного устройства.

Визначено умови створення наногiбридної пленарної гетероструктури з шаром полiмерного напiвпровiдника i надтонким шаром квантових точок з функцiєю ефективного електролюмiнiсцентного випромiнювача в OLED-структурах. Виявлено особливостi формування однорiдної щiльнопакованої бiшарової плiвки з квантових точок CdSe/ZnS на поверхнi водної субфази методом Ленгмюра–Шефера та її перенесення на тонкий шар з полi(дiоктилфлуорену). Проведено дослiдження i виявлено вплив концентрацiї QD в колоїдному розчинi на морфологiю консолiдованого шару з квантових точок, розмiщеного на iнтерфейсi електронно- i дiрково-транспортних шарiв, та ефективнiсть емiсiї електролюмiнiсцентного пристрою.

The formation conditions of nanohybrid planar heterostructures with polymer semiconductor layer and thin quantum dot (QD) layer as an effective electroluminescent emitter for OLED-structures are studied. The features of formation of a uniform close-packed QD bilayer film on the water subphase by the Langmuir–Sсhaefer method and its transfer to the surface of a hole-conducting layer of poly(dioctylfluorene) are investigated. Influence of the QD concentration in the colloidal solution on the morphology of the consolidated QD layer placed on the interface between electron- and holeconducting films and on the emission efficiency of the electroluminescent device are investigated and discussed.