Магнітний стан крайової дислокації в кремнії

Abstract

Електроннi спектри та магнiтний момент крайової дислокацiї в кристалiчному кремнiї розраховано методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Обговорюються змiни густини електронних станiв надкомiрки, що мiстить дислокацiйний диполь. Показано можливiсть формування феромагнiтного впорядкування на обiрваних зв’язках крайових дислокацiй в кремнiї. За нашими оцiнками, магнiтний момент розглянутої дислокацiйної надкомiрки становить 1,25μБ.

Электронные спектры и магнитный момент краевой дислокации в кристаллическом кремнии рассчитаны методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний сверхячейки, которая содержит дислокационный диполь. Показана возможность формирования ферромагнитного упорядочения на оборванных связях краевых дислокаций в кремнии. По нашим оценкам, магнитный момент рассмотренной дислокационной сверхячейки составляет 1,25μБ.

The electronic spectra and the magnetic moment of an edge dislocation in crystalline Si are calculated by the density functional theory in the general gradient approximation. Changes in the density of electronic states of a supercell with dislocation dipole are discussed. We have demonstrated the possibility of formation of the ferromagnetic ordering on the dangling bonds of edge dislocations in silicon. By our estimation, the magnetic moment of the examined dislocation supercell is 1.25μB.