Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF

Abstract

Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF.

Вивчено оптичне поглинання випромінювання для опромінених до дози 1057 Р кристалів LiF з величи-нами попередньої деформації 0,155 и 1,5%. Зроблено висновок щодо присутності F-центрів в опромінених кристалах, визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів. На підставі екпериментальних даних, отриманих у даній та попередніх роботах, вивчено деформаційні залежності спектрального показника ослаблення Kλ та концентрації F-центрів NF.

The optical radiation absorption has been investigated for LiF crystals preliminary deformed to the level of 0.155 and 1.5% under irradiation to a dose of 1057 R. A conclusion on the presence of F-centers in irradiated crystals is drawn. The volume density of the observed radiation defects is evaluated. Basing on the experimental data of the present and previous papers the deformation dependences of the spectral damping coefficient Kλ and the concentration NF of F-centers were investigated.