Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Ковтун, Г.П. | |
| dc.contributor.author | Щербань, А.П. | |
| dc.contributor.author | Горбенко, Ю.В. | |
| dc.contributor.author | Пироженко, Л.А. | |
| dc.contributor.author | Зеленская, В.И. | |
| dc.contributor.author | Берингов, С.Б. | |
| dc.contributor.author | Власенко, Т.В. | |
| dc.contributor.author | Шульга, Ю.Г. | |
| dc.date.accessioned | 2015-05-13T19:02:59Z | |
| dc.date.available | 2015-05-13T19:02:59Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.citation | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1562-6016 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81253 | |
| dc.description.abstract | Проведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Проведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм, використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП) для виробів сонячної енергетики. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of solar power engineering. | uk_UA |
| dc.description.sponsorship | Авторы выражают искреннюю благодарность Виричу В.Д. и Рыжовой Т.П. за проведение массспектрального анализа образцов сплавов кремния с галлием. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Вопросы атомной науки и техники | |
| dc.subject | Чистые материалы и вакуумные технологии | uk_UA |
| dc.title | Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием | uk_UA |
| dc.title.alternative | Одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм | uk_UA |
| dc.title.alternative | Obtaining of the gallium rich alloy on the base of silicon | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 669.782 |
