Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2006
→
Вопросы атомной науки и техники, 2006, № 4
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Толстолуцкая, Г.Д.
dc.contributor.author	Копанец, И.Е.
dc.contributor.author	Неклюдов, И.М.
dc.contributor.author	Марченко, И.Г.
dc.date.accessioned	2015-04-12T13:34:24Z
dc.date.available	2015-04-12T13:34:24Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.other	УДК 669.017:539.16
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80145
dc.description.abstract	Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация.	uk_UA
dc.description.abstract	Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація.	uk_UA
dc.description.abstract	By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of impurity complexes formation and their configuration are defined.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах	uk_UA
dc.title	Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель	uk_UA
dc.title.alternative	Профілі дефектів, розподіл і місце розташування гелію, аргону, криптону й ксенону, ионно-имплантированных у нікель	uk_UA
dc.title.alternative	Radiation damage, range distribution and site location measurements of helium, argon, krypton and xenon in nickel after implantation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA