An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2006
→
Вопросы атомной науки и техники, 2006, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Dovbnya, A.N.
dc.contributor.author	Yefimov, V.P.
dc.contributor.author	Pugachev, G.D.
dc.contributor.author	Dyomin, V.S.
dc.contributor.author	Dovbnya, N.A.
dc.contributor.author	Gordienko, J.E.
dc.contributor.author	Borodin, B.G.
dc.contributor.author	Babychenko, S.V.
dc.contributor.author	Semenets, T.A.
dc.date.accessioned	2015-04-06T15:54:26Z
dc.date.available	2015-04-06T15:54:26Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, G.D. Pugachev, V.S. Dyomin, N.A. Dovbnya, J.E. Gordienko, B.G. Borodin, S.V. Babychenko, T.A. Semenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 3. — С. 179-181. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.other	PACS: 61.82. Fk
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79885
dc.description.abstract	In the paper the processes of accumulation of radiation defects, formed by fragments of ²³⁸U nucleus fission, for forming of amorphous phases in the bulk of single-crystal silicon and the influence of the temperature annealing of defects on the properties of disordered structures are investigated.	uk_UA
dc.description.abstract	Исследуются процессы накопления радиационных дефектов, образованных осколками деления ядер ²³⁸U, для формирования аморфных фаз в объеме монокристаллического кремния и влияния температуры отжига дефектов на свойства разупорядоченных структур.	uk_UA
dc.description.abstract	Досліджуються процеси накопичення радіаційних дефектів, утворених осколками ділення ядер ²³⁸U, для формування аморфних фаз в об'ємі монокристалічного кремнію та впливу температури віджига дефектів на властивості розупорядкованих структур.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Применение ускорителей в радиационных технологиях	uk_UA
dc.title	An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties	uk_UA
dc.title.alternative	Воздействие γ-облучения и осколков ядер ²³⁸U на свойства монокристаллического кремния	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив γ-опромінення та осколків ядер ²³⁸U на властивості монокристалічного кремнію	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA