Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами

Abstract

Damaging processes of silicon and silicon detectors, radiation damaging peculiarity of silicon and silicon detectors by conditions of electromagnetic showers development are considered in the work. Experimental results of silicon radiation damaging efficiency by electromagnetic showers, which are developed from initial electrons with energy 220, 500 and 1000 MeV are presented. Peculiarity of damages creation in detector was studied. It was shown, that radiation damaging efficiency in the bulk detector material may be different then radiation damaging efficiency in initial silicon with identical characteristics.

В роботі розглянуті процеси пошкодження кремнію та кремнійових детекторів, особливості радіаційних пошкоджень кремнію та кремнійових детекторів в умовах розвитку електронно-фотонної зливи. Отримані експериментальні результати по ефективності радіаційного пошкодження кремнію електронно-фотонною зливою від первинних електронів з енергією 220, 500 та 1000 МеВ. Досліджені особливості дефектотворення у детекторі. Розглянут ефект радиаційного пошкодження, включаючий змінення (зменшення) ефективної концентрації легируючої домішки та взміненні типу проводимості матеріалу детектора в разі опромінення. Показано, що ефективність утворення дефектів у детекторі може відрізнятись від утворення дефектів у кремнію з ідентичними параметрами.

В работе рассмотрены процессы повреждения кремния и кремниевых детекторов, особенности радиационных повреждений кремния и кремниевых детекторов в условиях развития электронно-фотонного ливня. Получены экспериментальные результаты по эффективности радиационного повреждения кремния электронно-фотонным ливнем от первичных электронов с энергией 220, 500 и 1000 МэВ. Исследованы особенности дефектообразования в детекторе. Рассмотрен эффект радиационного повреждения кремниевых детекторов, заключающийся в изменении (уменьшении) эффективной концентрации легирующей примеси и в изменении типа проводимости материала детектора в результате облучения. Показано, что эффективность образования дефектов решётки в объеме материала детектора может отличаться от образования дефектов решётки в кремнии с идентичными параметрами.