Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Ильин, И.Ю.
dc.contributor.author Конакова, Р.В.
dc.contributor.author Миленин, В.В.
dc.contributor.author Ренгевич, А.Е.
dc.contributor.author Соловьев, Е.А.
dc.contributor.author Приходенко, В.И.
dc.date.accessioned 2015-03-13T20:27:35Z
dc.date.available 2015-03-13T20:27:35Z
dc.date.issued 2001
dc.identifier.citation Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со / И.Ю. Ильин, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич, Е.А. Соловьев, В.И. Приходенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78345
dc.description.abstract До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. uk_UA
dc.description.abstract Перед та пiсля опромiнення γ-квантами ⁶⁰Со у диапазонi доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р дослiдженi статичнi вольтампернi характеристики та шумова температура на частотi 12 ГГц арсенiдгалiєвих польових транзисторiв з затвором Шоттки (ПТШ) та НЕМТ (high electron mobility transistor). Встановлена кореляцiя мiж параметрами ПТШ та радiацiйними змiнами властивостей меж подiлу фаз як у iнтервалi доз, в якому реалiзується радiацiйно-стимульоване гетерування дефектiв, так i радiацiйна деградацiя приконтактних дiлянок GaAs. Запропоновано iнтервал доз опромiнення ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в якому параметри ПТШ помiньшуються. Цей iнтервал вiдповiдає дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р. uk_UA
dc.description.abstract The statistic volt-amper characteristics and the noise temperature on a frequency of 12 HzHz of arsenide gallium field effect transistor with Shotky lock and of high electron mobility transistor ( HEMT ) were studied before and after γ-quantum ⁶⁰Co irradiation in the dose range of 1.10⁴... 2.10⁹. The correlation between the PTSh parameters and the radiation-induced changes of phases boundaries properties was established for the dose range where the radiation-stimulated defect gettering is realized and the radiation degradation of nearcontact regions GaAs .The dose range of PTSh irradiation by γ-quantum ⁶⁰Co where the PtSh parameters improve is proposed . This range corresponds to doses of 1.10⁴…7.10⁷ P. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.subject Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах uk_UA
dc.title Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.382.2


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис