Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2000
→
Вопросы атомной науки и техники, 2000, № 5
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Стронский, А.В.
dc.contributor.author	Влчек, М.
dc.contributor.author	Скленарж, А.
dc.date.accessioned	2015-03-13T06:38:54Z
dc.date.available	2015-03-13T06:38:54Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag / А.В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 87-90. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78238
dc.description.abstract	Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Пленочные материалы и покрытия	uk_UA
dc.title	Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.216.22: 771.5; 539.219.3; 535.84.853.31