Влияние размеров поверхностной наноструктуры на фотопроводимость аморфных пленок селена

Abstract

В работе приведены исследования фотопроводимости в спектральном интервале 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) пленок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ с островковым слоем ртути. На основе проведенных измерений кинетики фотопроводимости и ее температурной зависимости были определены параметры потенциальной функции островков ртути – высота барьера, энергия связи и ширина потенциальной ямы. Получено удовлетворительное согласие между шириной ямы и средним размером наноструктуры.

В роботі наведено дослідження фотопровідности в спектральному інтер- валі 0,35—1,5 мкм тонких (∼ 0,2 мкм) плівок Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ з острівцевим шаром живосрібла. На основі виконаних мірянь кінетики фотопровідности та її температурної залежности визначено параметри потенціяльної функції острівців живосрібла: висота бар’єра, енергія зв’язку та ширина потенціяльної ями. Одержано задовільну згоду між шириною ями та середнім розміром наноструктури.

Results of photoconductivity investigation of Se, As₂S₃, As₂Se₃, Sb₂S₃ thin films deposited on island-like Hg layer within the 0.35—1.5 micron waveband are presented. On the basis of photoconductivity kinetics and its temperature dependence measurements, potential-function parameters, such as barrier height, binding energy, and potential well width, of Hg islands are determined. Satisfactory correlation between well width and average size of nanostructure is obtained.