Феноменологічний підхід до аналізи радіяційних ефектів при проєктуванні субмікронних структур біполярних ІС

Abstract

При взаємодії корпускулярного і електромагнетного випромінення з твердим тілом (структурою ІС) відбувається пересилання енергії останньому, в результаті чого змінюються його властивості. Характер взаємодії і ефекти, що при цьому виявляються, в загальному випадку визначаються видом випромінення, його енергією та інтенсивністю, видом структур ІС, які при цьому опромінюються. Дані радіяційні дослідження можуть лягти в основу побудови радіяційно-тривкої технології для формування як біполярних, так і польових структур ІС. Детально проаналізовано радіяційні ефекти в структурах із субмікронними глибинами залягання p—n-переходів та з ізопланарною діелектричною ізоляцією.

Energy transfer to solids (IC structures) takes place at their interaction with corpuscular and electromagnetic radiation. As a result, properties of these solids change. In general case, the type of radiation, its energy and intensity, and the type of IC structures, which are irradiated, determine the character of this interaction and effects, which manifest themselves here. Radiation investigations presented here can underlie development of radiation-hardened technology for fabrication of both bipolar and unipolar IC structures. Radiation effects in structures with submicron junction depths and with isoplanar dielectric isolation are analyzed in detail.

При взаимодействии корпускулярного и электромагнитного излучения с твердым телом (структурой ИС) происходит передача энергии последнему, в результате чего изменяются его свойства. Характер взаимодействия и эффекты, которые при этом проявляются, в общем случае определяются видом излучения, его энергией и интенсивностью, видом структур ИС, которые при этом облучаются. Данные радиационные исследования могут лечь в основу построения радиационно-стойкой технологии для формирования как биполярных, так и полевых структур ИС. Детально проанализированы радиационные эффекты в структурах с субмикронными глубинами залегания p—n-переходов, а также с изопланарной диэлектрической изоляцией.