Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Клето, Г.И.
dc.contributor.author Мартынюк, Я.В.
dc.contributor.author Савчук, А.И.
dc.contributor.author Стребежев, В.Н.
dc.contributor.author Обедзинский, Ю.К.
dc.date.accessioned 2015-02-09T19:33:52Z
dc.date.available 2015-02-09T19:33:52Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов / Г.И. Клето, Я.В. Мартынюк, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1816-5230
dc.identifier.other PACS numbers: 68.55.J-,77.84.Dy,81.05.Je,81.15.Cd,82.45.Fk,85.40.Sz,85.50.Gk
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339
dc.description.abstract Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100—120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO₂ и Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методом растровой электронной микроскопии изучалось влияние электродного подслоя на структуру вакуумного конденсата. Форма петель диэлектрического гистерезиса свидетельствует о наличии механических напряжений в образцах с использованием SnO₂. Показано, что число циклов переключения электрической поляризации на тестовых образцах в виде конденсаторов увеличивается в структурах с оксидным электродом Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃, что объясняется снижением механического напряжения на границе электрод—пленка. uk_UA
dc.description.abstract Сеґнетоелектричні плівки цирконату-титанату олива (ЦТС) товщиною 100—120 нм одержано методою ВЧ-катодного розпорошення п’єзоелектричної кераміки ЦТС-19 на стандартних кремнійових пластинах, попередньо покритих провідними шарами SnO₂ і Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Методою растрової електронної мікроскопії вивчався вплив електродного підшару на структуру вакуумного конденсату. Форма петель діелектричної гістерези свідчить про наявність механічних напруг у зразках з використанням SnO₂. Показано, що число циклів перемикання електричної поляризації на тестових зразках у вигляді конденсаторів збільшується в структурах з оксидною електродою Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃, що пояснюється зниженням механічної напруги на межі електрода—плівка. uk_UA
dc.description.abstract Lead zirconate—titanate ferroelectric films (PZT) of 100—120 nanometres in thickness are fabricated by RF cathode sputtering of PZT-19 piezoelectric ceramics on the standard silicon plates preliminary covered with conductive layers of SnO₂ and Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃. Influence of an electrode sublayer on structure of vacuum condensate is studied using scanning electron microscopy. The form of dielectric hysteresis loops testifies to presence of mechanical stresses in samples with SnO₂. As shown, the number of cycles of switching of electric polarization on test samples in the form of capacitors increases in structures with Y₀,₅Sr₀,₅CoO₃ oxide electrode. It can be explained by the decrease of mechanical stress on the electrode—film boundary. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.title Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов uk_UA
dc.title.alternative Nanosize Ferroelectric Films for Integrated Memory Elements
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис